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SUD23N06-31
Vishay Siliconix
N-Channel 60 V (D-S), MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
60
R DS(on) ( ? )
0.031 at V GS = 10 V
0.045 at V GS = 4.5 V
I D (A) a
9.1
7.6
Q g (Typ.)
6.5 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g and UIS Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
TO-252
Drain Connected to Ta b
? DC/DC Converters
G
D
G
D
S
Top V ie w
Orderin g Information: SUD23 N 06-31-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
60
± 20
21.4
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
17.1
9.1 a
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
7.6 a
50
20.8
3.8 a
20
20
A
mJ
T C = 25 °C
31.25
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
20
5.7 a
W
T A = 70 °C
3.6 a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Case
a
t ? 10 s
Steady State
R thJA
R thJC
18
3.2
22
4.0
°C/W
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board, t ? 10 s.
Document Number: 68857
S11-0181-Rev. B, 07-Feb-11
www.vishay.com
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